HISTORIA Y EVOPLIUCION DE LA MEMORIA RAM

Historia de la Memoria RAM

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromágnetico de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.

En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1024 bytes, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.

En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEKlanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIPde 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización , entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:

• FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486, se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de la primera vez no seria necesario decir el número de la calle únicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

• EDO-RAM (Extended Data Output RAM)

Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

• BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.

Tipos de memoria Ram y su historia

FPM-RAM Fecha de introducción: 1990 Descripción de la tecnología Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu. La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso más rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos consecutivos. Velocidad de transferencia 200 MB/s EDO-RAM Fecha de introducción: 1994 Descripción de la tecnología Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. Velocidad de transferencia 320 MB/s BEDO-RAM Fecha de introducción: 1997 Descripción de la tecnología Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz. Velocidad de transferencia Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s SDR SDRAM Descripción de la tecnología Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores portátiles. PC66 Fecha de introducción: 1997 Velocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s. PC100 Fecha de introducción: 1998 Velocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s. PC133 Fecha de introducción 1999 Velocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s. DDR-SDRAM Descripción de la tecnología Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado. PC1600 – DDR200 Fecha de introducción: 2001 Velocidad de transferencia 1600 MB/s PC2100 – DDR266 Fecha de introducción: 2002 Velocidad de transferencia 2133 MB/s PC2100 – DDR266 Fecha de introducción: A mediados del 2003 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s. PC3200 – DDR400 Fecha de introducción: Junio del 2004 Velocidad de transferencia Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s. PC4200 – DDR533 Fecha de introducción: A mediados del 2004 Velocidad de transferencia Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.2 GB/s. PC4800 – DDR600 Fecha de introducción: A mediados del 2004 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s. PC5300 – DDR667 Fecha de introducción: A finales del 2004 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s. PC6400 – DDR800 Fecha de introducción: A finales del 2004 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s. DDR3 – 800 Fecha de introducción: Junio del 2004 Velocidad de transferencia Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s. DDR3 – 1066 Fecha de introducción: Mayo del 2007 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s. DDR3 – 1333 Fecha de introducción: Mayo de 2007 Velocidad de transferencia De las primeras memorias clasificadas como de “Low-Latency” con velocidades de transferencia de 10.667 GB/s @ 1333 MHz DDR3 – 1600 Fecha de introducción: Julio de 2007 Velocidad de transferencia de la información 12.80 GB/s @ 1600 MHz DDR3 – 1800 Fecha de introducción: Agosto de 2007 Velocidad de transferencia 14.40 GB/s @ 1800 MHz DDR3 – 2000 Fecha de introducción: Marzo de 2008 (pruebas) Velocidad de transferencia 16.0 GB/s @ 2000 MHz RDRAM Descripción de la tecnología También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit RAMBUS PC600 Velocidad de transferencia 1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s @ 266MHz RAMBUS PC700 Fecha de introducción: 1999 Velocidad de transferencia 1.42 GB/s por canal, que hacen en total 2.84 GB/s @ 356 MHz RAMBUS PC800 Fecha de introducción: 1999 Velocidad de transferencia 1.6 GB/s por canal, que hacen en total 3.2 GB/s @ 400 MHz ESDRAM Fecha de introducción: A mediados de año de 1999 Descripción de la tecnología Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales. Velocidad de transferencia de la información: Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s @ 150 MHz Flash Memory Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos la opción de utilizarla también como memoria RAM, a continuación las características: Fecha de introducción Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC. Descripción de la tecnología Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND. Velocidad de transferencia La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido incrementando progresivamente, generalmente la velocidad es mayor en lectura que en escritura. Las más comunes actualmente tienen una velocidad de transferencia de ~20 MB/s, aunque la nueva generación de tarjetas permitirá velocidades de hasta 30 MB/s.

Historia

consulta 3

Integrado de silicio de 64 bits sobre un sector de memoria de núcleo magnético (finales de los 60).

4MiB de memoria RAM para un computador VAX de finales de los 70. Los integrados de memoria DRAM están agrupados arriba a derecha e izquierda.

Módulos de memoria tipo SIPP instalados directamente sobre la placa base.

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.

En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAMde 1024 bytes, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.

En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines,1​ mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento2​ se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización , entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:

Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los últimos fueron utilizados con integrados tipo EDO-RAM.

FPM RAM[editar]

Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en técnicas como el Burst Mode usado en procesadores como el Intel 486.3​ Se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de la primera vez no sería necesario decir el número de la calle únicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

EDO RAM[editar]

Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va a utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búferde salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

BEDO RAM[editar]

Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolución de la EDO-RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un 50 % de beneficios, mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.